Farnell ha anunciado la incorporación de más de 250 nuevos productos de Toshiba a su stock disponible, incluyendo una nueva gama de MOSFET de potencia de canal N. Los productos recién incorporados abarcan tanto alta tensión, cerca de 600 V a 650 V, como baja tensión, de 30 V a 150 V.
Ibtissame Krumm, Senior Supplier Account Manager de Farnell, declara: «El mercado mundial de semiconductores de potencia se está expandiendo de forma acelerada. Aunque la demanda de semiconductores de potencia para aplicaciones de automoción ha hecho noticia durante algún tiempo, en realidad existen muchas otras aplicaciones en las que la demanda crece con la misma rapidez, si no más».
«Detrás de la mayoría de estas aplicaciones están los MOSFET de potencia, cuyo uso (además de las aplicaciones de automoción reconocidas) incluye aplicaciones de energía verde para inversores solares y bombas de calor; controles industriales; fuentes de alimentación; y electrodomésticos recargables, como herramientas de jardinería inalámbricas. El rendimiento de los MOSFET de potencia es crucial para el rendimiento general del sistema de estos dispositivos y es a menudo el punto de partida de cualquier nuevo proyecto de los ingenieros de desarrollo».
Los clientes de Farnell dedicados al desarrollo de nuevos productos necesitan acceso fácil y rápido a estos componentes críticos para diseñar, comprobar, evaluar, prototipar y lanzar nuevos conceptos. Como tal, la asociación de Farnell con Toshiba y las capacidades de la nueva planta de Toshiba de fabricación de obleas de 300 milímetros para semiconductores de potencia, garantizará que ambas empresas puedan respaldar el crecimiento exponencial de la demanda actual de MOSFET de alta calidad, así como de muchos otros productos semiconductores.
Algunos de los nuevos MOSFET que ahora están disponibles en Farnell incluyen:
- MOSFET de potencia TPH3R10AQM: Basado en el proceso U-MOS-X, este dispositivo ofrece resistencia on mejorada y área de funcionamiento segura. El dispositivo es ideal para aplicaciones exigentes como fuentes de alimentación conmutadas en centros de datos, estaciones base de comunicaciones y muchos usos industriales.
- Serie DTMOSVI: El TK055U60Z1 es el primer producto de la serie DTMOSVI de 600 V, que se basa en el proceso de última generación de Toshiba que cuenta con una estructura de superunión, ampliamente aceptada como el logro más reciente en los MOSFET de potencia. El nuevo MOSFET tiene una RDS(on) de solo 55 mΩ, lo que supone una mejora del 13 % respecto a dispositivos similares de la serie DTMOSIV-H de Toshiba.
- MOSFET de potencia TPH9R00CQ5: Basado en el proceso U-MOS X-H Trench, este nuevo MOSFET de potencia es útil en fuentes de alimentación conmutadas de alto rendimiento, como aquellas utilizadas en estaciones base de comunicaciones, así como en otras aplicaciones industriales. En las soluciones de potencia de alto rendimiento que usan rectificación síncrona, es importante el rendimiento de la recuperación inversa . El nuevo TPH9R00CQ5 incluye un diodo de cuerpo de alta velocidad que reduce la carga de recuperación inversa (Qrr) en torno a un 74 % (a 34 nC típ.) en comparación con un dispositivo existente como el TPH9R00CQH.
- MOSFET de potencia XPQR3004PB: Este nuevo dispositivo aprovecha las capacidades avanzadas de disipación de calor para soportar corrientes de automoción mayores. El dispositivo de 40 V ofrece capacidades de corriente elevadas y resistencia on más baja en encapsulados L-TOGLTM térmicamente mejorados.
Los nuevos MOSFET y otros productos semiconductores de Toshiba ya están disponibles en Farnell en Europa, Newark en Norteamérica y element14 en Asia Pacífico.
