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Los MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon con 25 V a 150 V ya están disponibles en Rutronik como versión mejorada en el encapsulado source-down con refrigeración por el lado inferior y huella de puerta central. Se han optimizado especialmente para usos en los que es necesaria la conexión en paralelo y tienen la menor resistencia de encendido RDS(on) posible en un área de placa de circuito impreso de 5 mm x 6 mm. La familia OptiMOS™ también presenta una reducción significativa de la inductancia parásita del encapsulado y un excelente rendimiento térmico. Los dispositivos cumplen la directiva RoHS y están disponibles en empaquetado de bonina www.rutronik24.com. 

La principal característica del concepto de encapsulado source-down es la orientación de la cara activa del chip de silicio hacia la parte inferior del componente. En combinación con el clip reforzado de la parte superior del chip de silicio, se reducen significativamente las parásitas del encapsulado y se mejora el rendimiento térmico. La tecnología de silicio de última generación con una excelente FOM y una relación chip / encapsulado maximizada aumenta la capacidad de corriente y garantiza unas pérdidas de potencia minimizadas. Los MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon permiten una conmutación rápida y reducen la necesidad de conmutación en paralelo de los componentes.

Principales características

  • Pérdidas de línea minimizadas
  • Reducción de los excesos de tensión
  • Mayor capacidad de transporte de corriente máxima
  • Conmutación rápida
  • Menor necesidad de conectar componentes en paralelo

Ejemplos de uso

  • Robótica
  • Solar
  • Telecomunicaciones
  • Accionamientos de baja tensión
  • Vehículos eléctricos ligeros
  • Drones
  • Herramientas eléctricas
  • Sistema de gestión de baterías
  • Aplicaciones de audio de clase D Cargadores USB

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